Vēl viena iespēja, kuru vērts apspriest, ir FGH30N60LSD ierīču izmantošana. Tas ir 30A/600V IGBT ar piesātinājuma spriegumu VCE(SAT) tikai 1,1V. Tā izslēgšanas zudums EOFF ir ļoti augsts, sasniedzot 10mJ, tāpēc tas ir piemērots tikai zemas frekvences pārveidošanai. 50 miliohmu MOSFET ieslēgšanas pretestības RDS(ON) darba temperatūrā ir 100 miliomi. Tāpēc pie 11A tam ir tāds pats VDS kā IGBT VCE (SAT). Tā kā šī IGBT pamatā ir vecāka sadalījuma tehnoloģija, VCE(SAT) temperatūras ietekmē īpaši nemainās. Tāpēc šis IGBT var samazināt kopējos zudumus izejas tiltā, tādējādi palielinot invertora kopējo efektivitāti. Ļoti noderīga ir arī FGH30N60LSD IGBT pārslēgšana no vienas jaudas pārveidošanas tehnoloģijas uz citu specializētu topoloģiju ik pēc puscikla. IGBT šeit tiek izmantots kā topoloģisks slēdzis. Ātrākā pārveidē tiek izmantotas parastās un ātras atkopšanas supersavienojuma ierīces. 1200V specializētajai topoloģijai un pilnai tilta struktūrai iepriekšminētais FGL40N120AND ir ļoti piemērots jaunā augstfrekvences saules invertora pārslēgšanai. Ja īpašai tehnoloģijai nepieciešamas diodes, Stealth II, Hyperfast™ II diodes un oglekļa silīcija diodes ir labs risinājums.

Lūdzu, aplūkojiet un labāk izprotiet mūs:

20000 watt pure sine wave ac inverter